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 Samsung la V-nand 6ème Génération

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06

Aout

Samsung annonce le début de la production en masse de SSD 250 Go intégrant la 6e génération de mémoire flash V-NAND TCL d’une densité de 256 Gb. Ces derniers se destinent pour l’instant aux OEM. Cela intervient seulement 13 mois après le lancement de la mémoire V-NAND 96 couches de 5e génération. À l’instar de la cinquième génération, cette sixième génération V-NAND continue d’augmenter d’environ 40 % le nombre de couches, qui passe de 96 à 1xx (probablement 128 ou 136 couches). Samsung a également amélioré les vitesses de transfert de données : moins de 450 microsecondes en écriture et sous les 45 microsecondes en lecture. Par rapport à la génération précédente, cela représente une amélioration de plus de 10 % des performances, tandis que la consommation d’énergie est réduite de plus de 15 %. Enfin, le géant coréen a également optimisé sa méthode d’usinage pour créer une puce de 256 Gb, passant de 930 millions de trous à 670 millions. Cela représente une amélioration de plus de 20 % de la productivité manufacturière. Samsung vise désormais des SSD V-NAND de 512 Gb d’ici la fin d’année.



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Samsung la V-nand 6ème Génération

Samsung annonce le début de la production en masse de SSD 250 Go intégrant la 6e génération de mémoire flash V-NAND TCL d’une densité de 256 Gb. Ces derniers se destinent pour l’instant aux OEM. Cela intervient seulement 13 mois après le lancement de la mémoire V-NAND 96 couches de 5e génération. À l’instar de la cinquième génération, cette sixième génération V-NAND continue d’augmenter d’environ 40 % le nombre de couches, qui passe de 96 à 1xx (probablement 128 ou 136 couches). Samsung a également amélioré les vitesses de transfert de données : moins de 450 microsecondes en écriture et sous les 45 microsecondes en lecture. Par rapport à la génération précédente, cela représente une amélioration de plus de 10 % des performances, tandis que la consommation d’énergie est réduite de plus de 15 %. Enfin, le géant coréen a également optimisé sa méthode d’usinage pour créer une puce de 256 Gb, passant de 930 millions de trous à 670 millions. Cela représente une amélioration de plus de 20 % de la productivité manufacturière. Samsung vise désormais des SSD V-NAND de 512 Gb d’ici la fin d’année.
06-08-2019


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